原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2015460

掲載年度 2017
題目 N-H related defect playing the role of acceptor in GaAsN grown by chemical beam epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Omar Elleuch
Li Wang
Kan-Hua Lee
Kazuma Ikeda
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 ELSEVIER
掲載誌名 Journal of Crystal Growth
ISBN/ISSN
巻(vol.)468 号(No.) 頁(pp.)581-584
発行年月日 2017/06/15