原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2014689

掲載年度 2015
題目 Structure of the Acceptor Defects in P-type GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy
発表区分 Proceedings
著者 Omar Elleuch
Li Wang
Kan Hua Lee
Koshiro Demizu
Kazuma Ikeda
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 IEEE PVSC
掲載誌名 Proc. 42th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC42)
ISBN/ISSN 978-1-4799-7944-8/15
巻(vol.) 号(No.) 頁(pp.)
発行年月日 2015/10