原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2014626

掲載年度 2015
題目 Identification of N‒H related acceptor defects in GaAsN grown by chemical beam epitaxy using hydrogen isotopes
発表区分 原著論文
著者 Omar Elleuchi
Li Wang
Kan Hua Lee
Kazuma Ikeda
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 Elsevier
掲載誌名 Journal of Alloys and Compounds
ISBN/ISSN
巻(vol.)649 号(No.) 頁(pp.)815-818
発行年月日 2015/07/23