原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2013435

掲載年度 2014
題目 Effects of source gas molecules on N–H- and N–D-related defect formations in GaAsN grown by chemical beam epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Kazuma Ikeda
Yoshio Ohshita
Tomohiro Tanaka
Takahiko Honda
Makoto Inagaki
Koshiro Demizu
Nobuaki Kojima
Hidetoshi Suzuki
Hideaki Machida,Hiroshi Sudoh
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 The Japan Society of Applied Physics
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻(vol.)54 号(No.)4 頁(pp.)041001
発行年月日 2015/03/13