原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2013352

掲載年度 2014
題目 Hole traps associated with high-concentration residual carriers in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Omar Elleuch
Li Wang
Kan Hua Lee
Koshiro Demizu
Kazuma Ikeda
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 AIP Publishing
掲載誌名 Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻(vol.)117 号(No.) 頁(pp.)045712
発行年月日 2015/01/29