原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2010802

掲載年度 2011
題目 Shallow Carrier Trap Levels in GaAsN Investigated by Photoluminescence
発表区分 原著論文
著者 Makoto Inagaki
Hidetoshi Suzuki
Kazumasa Mutaguchi
Atsuhiko Fukuyama
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 The Japan Society of Applied Physics
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN 1347-4065
巻(vol.)50 号(No.)4 頁(pp.)04DP14
発行年月日 2011/04/20