原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2005210

掲載年度 2005
題目 Nitrogen Incorporation in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Yoshio Ohshita
K. Nishimura
H. S. Lee
Nobuaki Kojima
I. Gono
H. Suzuki
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Proc. 270th Meeting of The Electrochemical Society
ISBN/ISSN
巻(vol.) 号(No.) 頁(pp.)272-277
発行年月日 2005