原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2010034

掲載年度 2010
題目 Properties of a Nitrogen-Related Hole Trap Acceptor-Like State in p-Type GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Boussairi Bouzazi
Hidetoshi Suzuki
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻(vol.)49 号(No.)12 頁(pp.)121001
発行年月日 2010/12