原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2010029

掲載年度 2010
題目 A recombination center in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Boussairi Bouzazi
Hidetoshi Suzuki
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Solar Energy Materials & Solar Cells
ISBN/ISSN
巻(vol.)95 号(No.)1 頁(pp.)281-283
発行年月日 2011/01