原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2010010

掲載年度 2010
題目 Nitrogen-Related Recombination Center in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Boussairi Bouzazi
Hidetoshi Suzuki
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻(vol.)49 号(No.)5 頁(pp.)051001
発行年月日 2010/05