原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2010009

掲載年度 2010
題目 Nitrogen Related Electron Trap with High Capture Cross Section in n-Type GaAsNGrown by Chemical Beam Epitaxy
発表区分 原著論文
著者 Boussairi Bouzazi
Hidetoshi Suzuki
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Applied Physics Express
ISBN/ISSN
巻(vol.)3 号(No.)5 頁(pp.)051002
発行年月日 2010/04