原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2010008

掲載年度 2010
題目 Improvements in Optoelectrical Properties of GaAsN by Controlling Step Density during Chemical Beam Epitaxy Growth
発表区分 原著論文
著者 Hidetoshi Suzuki
Makoto Inagaki
Takahiko Honda
Yoshio Ohshita
Nobuaki Kojima
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻(vol.)49 号(No.)4 頁(pp.)04DP08
発行年月日 2010/04