原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2009169

掲載年度 2009
題目 Properties of Chemical Beam Epitaxy grown GaAs0.995N0.005 homo-junction solar cell
発表区分 原著論文
著者 Boussairi Bouzazi(博士2)
Kenichi Nishimura(2007 博士満了)
Hidetoshi Suzuki
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Current Applied Physics.
ISBN/ISSN
巻(vol.)10 号(No.) 頁(pp.)S188-S190
発行年月日 2010