原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2009061

掲載年度 2009
題目 A High Capture Cross Section's Recombination Center in p-Type GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy
発表区分 Proceedings
著者 Boussairi Bouzazi(博士2)
Hidetoshi Suzuki
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 WIP-Renewable Energies
掲載誌名 Proceedings 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference
ISBN/ISSN
巻(vol.) 号(No.) 頁(pp.)68-71
発行年月日 2009