原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2005112

掲載年度 2005
題目 Impurities in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy Using Monomethylhydrazine or Dimethyl-hidrazine as N Precursor
発表区分 Proceedings
著者 H. Suzuki
K. Nishimura
H.S. Lee
Yoshio Ohshita
I. Gono
Nobuaki Kojima
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Tech. Digest 15th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
ISBN/ISSN
巻(vol.) 号(No.) 頁(pp.)381-382
発行年月日 2005