原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2004074

掲載年度 2004
題目 Effects of defects and impurities on minority carrier lifetime in cast-grown polycrystalline silicon
発表区分 原著論文
著者 Yoshio Ohshita
Y. Nishikawa(2004卒業・愛三工業)
M. Tachibana
V. K. Tuong(2004博士満了)
T. Sasaki(修士1)
Nobuaki Kojima
S. Tanaka(Nagoya Univ.)
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者
掲載誌名 Journal of Crystal Growth
ISBN/ISSN
巻(vol.)275 号(No.) 頁(pp.)e491-e494
発行年月日 2005