原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2018929

掲載年度 2021
題目 Structural Characterization of GaAs Layer Grown on 2D-GaSe/Si(111) Substrate for Rapid Epitaxial Lift Off
発表区分 Proceedings
著者 Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
掲載誌 出版者 IEEE
掲載誌名 Proceedings of the 2021 IEEE 48th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
ISBN/ISSN
巻(vol.) 号(No.) 頁(pp.)1941-1942
発行年月日 2021/08/26