原著論文

半導体
講師 小島信晃

RecordID:2016212

掲載年度 2017
題目 Effect of substrate orientation on strain relaxation mechanisms of InGaAs layer grown on vicinal GaAs substrates measured by in situ X-ray diffraction
発表区分 原著論文
著者 鈴木秀俊(*)
佐々木拓生(*)
高橋正光(*)
大下祥雄
小島信晃
神谷格
福山敦彦(*)
碇哲雄(*)
山口真史
掲載誌 出版者 応用物理学会
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻(vol.)56 号(No.) 頁(pp.)08MA06
発行年月日 2017/07/18