| 掲載年度 |
2016 |
| 題目 |
Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET |
| 発表区分 |
原著論文
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| 著者 |
Noriko Kurose（*）
Kota Ozeki（*）
Tsutomu Araki（*）
Naotaka Iwata
Itaru Kamiya
Yoshinobu Aoyagi（*）
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| 掲載誌 |
出版者 The Japan Society of Applied Physics and The Institute of Electrical and Electronic Engineers
掲載誌名 The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Toyama Japan
ISBN/ISSN
巻（vol.） 号（No.） 頁（pp.）ThD2-4
発行年月日 2016/06/30
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