原著論文

量子界面物性
教授 神谷格

RecordID:2015282

掲載年度 2016
題目 Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET
発表区分 原著論文
著者 Noriko Kurose(*)
Kota Ozeki(*)
Tsutomu Araki(*)
Naotaka Iwata
Itaru Kamiya
Yoshinobu Aoyagi(*)
掲載誌 出版者 The Japan Society of Applied Physics and The Institute of Electrical and Electronic Engineers
掲載誌名 The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Toyama Japan
ISBN/ISSN
巻(vol.) 号(No.) 頁(pp.)ThD2-4
発行年月日 2016/06/30