| 掲載年度 |
2015 |
| 題目 |
Direct observation of strain in InAs quantum dots and cap layer during molecular beam epitaxial growth using in situ X-ray diffraction |
| 発表区分 |
原著論文
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| 著者 |
下村憲一（量子界面物性）
鈴木秀俊（宮崎大学）
佐々木拓生（日本原子力研究開発機構）
高橋正光（日本原子力研究開発機構）
大下祥雄
神谷格
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| 掲載誌 |
出版者 American Institute of Physics
掲載誌名 Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻（vol.）118 号（No.） 頁（pp.）185303
発行年月日 2015/11/12
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