原著論文

量子界面物性
教授 神谷格

RecordID:2013399

掲載年度 2014
題目 Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on n+Si substrate by filling the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor
発表区分 原著論文
著者 Noriko Kurose(Ritsumeikan University)
Naotaka Iwata
Itaru Kamiya
Yoshinobu Aoyagi(Ritsumeikan University)
掲載誌 出版者 The American Institute of Physics
掲載誌名 AIP Advances
ISBN/ISSN
巻(vol.)4 号(No.) 頁(pp.)123007
発行年月日 2014/12/23