| 掲載年度 |
2017 |
| 題目 |
Effect of substrate orientation on strain relaxation mechanisms of InGaAs layer grown on vicinal GaAs substrates measured by in situ X-ray diffraction |
| 発表区分 |
原著論文
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| 著者 |
鈴木秀俊（*）
佐々木拓生（*）
高橋正光（*）
大下祥雄
小島信晃
神谷格
福山敦彦（*）
碇哲雄（*）
山口真史
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| 掲載誌 |
出版者 応用物理学会
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻（vol.）56 号（No.） 頁（pp.）08MA06
発行年月日 2017/07/18
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