原著論文

半導体
招聘研究員 中村京太郎

RecordID:2016253

掲載年度 2018
題目 Effects of annealing temperature on workfunction of MoOx at MoOx/SiO2 interface and process-induced damage in indium tin oxide/MoOx/SiOx/Si stack
発表区分 原著論文
著者 Takefumi Kamioka*
Yutaka Hayashi
Yuki Isogai
Kyotaro Nakamura
Yoshio Ohshita
掲載誌 出版者 The Japan Society of Applied Physics
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
ISBN/ISSN
巻(vol.)57 号(No.)7 頁(pp.)076501
発行年月日 2018/06/13