受賞

半導体
講師 小島信晃

掲載年度 2009
種類 国外
賞名 PVSEC-19 Best Paper Award
受賞者 田中友博(修士1)
鈴木秀俊
小島信晃
大下祥雄
山口真史
授与団体 The 19th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
授与日 2009/11/13
受賞理由 The 19th International Photovoltaic Science and Engineering Conferenceで発表された論文 "Origin of H in N-H Complex Defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy" が特に優れた論文であったため。