招待講演

半導体研究室
招聘研究員 山口真史

掲載年度 2015
種類 国外
講演名 The Energy, Materials, and Nanotechnology (EMN) Meeting
講演題目 (Invited) Layered (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) Compounds as Novel Buffer Layers for GaAs on Si System
講演者 Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
講演場所 The Westin Resort & Spa, Cancun, Mexico
主催団体
講演日 2015/06/10