学会発表

半導体
講師 小島信晃

掲載年度 2016
種類 国外
学会名 The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
発表題目 Ge thin film growth on Si and SiO2 using t-C4H9GeH3
発表者 R. Katayama
Nobuaki Kojima
K. Suda, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, A. Ogura
Yoshio Ohshita
主催団体 Science Council of Japan (SCJ)
発表場所 Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan
発表日 2016/08/07
講演内容