学会発表

半導体
講師 小島信晃

掲載年度 2012
種類 国外
学会名 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
発表題目 N-H Defect Formation Mechanism in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy
発表者 Kazuma Ikeda
Suguru Wada
Makoto Inagaki
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi
主催団体 The Japan Society of Applied Physics
発表場所 Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
発表日 2012/09/25
講演内容