半導体
招聘研究員 山口真史
掲載年度
2019
種類
国内
学会名
2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
発表題目
2D-In
2
Se
3
を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離
発表者
小島信晃
ワン ユ チェン
川勝 桂
山本 暠勇
大下祥雄
山口真史
主催団体
応用物理学会
発表場所
北海道大学 札幌キャンパス 北海道札幌市
発表日
2019/09/18
講演内容
