学会発表

半導体
招聘研究員 山口真史

掲載年度 2019
種類 国内
学会名 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
発表題目 2D-In2Se3を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離
発表者 小島信晃
ワン ユ チェン
川勝 桂
山本 暠勇
大下祥雄
山口真史
主催団体 応用物理学会
発表場所 北海道大学 札幌キャンパス 北海道札幌市
発表日 2019/09/18
講演内容