| 掲載年度 |
2013 |
| 種類 |
国外
|
| 学会名 |
30th North American Molecular Beam Epitaxy Conference |
| 発表題目 |
In situ X-ray diffraction study on capping of InAs quantum dots on GaAs(001) |
| 発表者 |
下村憲一（量子界面物性）
鈴木秀俊（宮崎大学）
佐々木拓生（日本原子力研究開発機構）
高橋正光（日本原子力研究開発機構）
大下祥雄（半導体研究室）
神谷格
|
| 主催団体 |
American Vacuum Society |
| 発表場所 |
Banff |
| 発表日 |
2013/10/09
|
| 講演内容 |
|
