量子界面物性研究室
教授　神谷格

掲載年度	2013
種類	国外
学会名	The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
発表題目	The Thickness of InGaAs Capping Layer Dependence on the PL Emission Wavelength of InAs Quantum Dots
発表者	下村憲一（量子界面物性） 神谷格
主催団体
発表場所	神戸
発表日	2013/05/20
講演内容