| 掲載年度 |
2018 |
| 種類 |
国内
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| 学会名 |
22nd Advanced Materials 2018 |
| 発表題目 |
A new laser induced local material engineering to convert from n-type to p-type nitride semiconductor to fabricate high power vertical AlGaN/GaN devices on Si substrate |
| 発表者 |
Yoshinobu Aoyagi（立命館大学）
Noriko Kurose（立命館大学）
松本滉太（電子デバイス）
岩田直高
神谷格
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| 主催団体 |
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| 発表場所 |
東京 |
| 発表日 |
2018/09/19
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| 講演内容 |
レーザーを用いた GaN のドーピング活性化法を用いた縦型素子作製について |
