学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2016
種類 国内
学会名 The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
発表題目 Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET
発表者 Noriko Kurose(立命館大学)
Kota Ozeki(立命館大学)
Tsutomu Araki(立命館大学)
Itaru Kamiya
Naotaka Iwata
Yoshinobu Aoyagi(立命館大学)
主催団体
発表場所 Toyama Japan
発表日 2016/06/30
講演内容 Conductive AlN layer grown on a Si substrate using MOCVD has been realized by the spontaneously formed nano-size via-holes. The layer has been applied for the preparation of vertical AlGaN FETs.