学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2015
種類 国外
学会名 The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2015)
発表題目 AlGaAs/InGaAs HEMTs Passivated with Atomic Layer Deposited SiO2 using Aminosilane Precursors
発表者 鈴木貴之(電子デバイス)
滝川陽介(電子デバイス)
岩田直高
チョウ トウエン
大下祥雄
主催団体 IEEE
発表場所 Kyoto, Japan
発表日 2015/06/04
講演内容 AlGaAs/InGaAs HEMTs Passivated with Atomic Layer Deposited SiO2 using Aminosilane Precursors