学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2014
種類 国内
学会名 第62回応用物理学会春季学術講演会
発表題目 ビスエチルメチルアミノシランを用いた原子層堆積SiO2保護膜を有するAlGaAs/InGaAs HEMTの特性
発表者 鈴木貴之
滝川陽介
張東岩
内藤志麻子
岩田直高
主催団体 応用物理学会
発表場所 東海大学 湘南キャンパス
発表日 2015/03/11
講演内容 未結合手の終端に優れたプラズマ励起原子層堆積(PEALD)法によってHEMT表面に2種類の有機原料を用いてSiO2を堆積した.それらがトランジスタ特性に与える影響を評価した。