学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2014
種類 国内
学会名 2014年(平成26年度)応用物理学会九州支部学術講演会
発表題目 原料断続供給法を用いたSiO2薄膜マスク付Si 基板上へのGaAs 成長における初期結晶形状の評価
発表者 邢 林(宮崎大学)
横山 祐貴(宮崎大学)
杉村 和哉
滝川 陽介
鈴木 秀俊(宮崎大学)
岩田直高
前田 幸治(宮崎大学)
主催団体 応用物理学会
発表場所 大分大学工学部(大分市旦野原700)
発表日 2014/12/06
講演内容 開口部に均一な結晶を得るには、SiO2及びSi上での原料の拡散の制御が必要である。我々は、表面拡散の制御手法として原料断続供給法に注目し、高品質なGaAsの成長に取り込んでいる。本研究では、原料断続供給法を用いて様々な形状に開口したSiO2薄膜上にGaAsの結晶成長を行い、マスク部及びその開口部近傍でのGaAs結晶の成長初期の形状観察を行うことによって、SiO2 及びSi 上での原料拡散のメカニズムを理解することを目的とした。