学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2020
種類 国外
学会名 the 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)
発表題目 P-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor with nearly-zero threshold voltage for power rectification applications
発表者 Yuwei Zhang
Naotaka Iwata
主催団体
発表場所 Online
発表日 2021/03/10
講演内容 オーラル 10aD06O