学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2019
種類 国内
学会名 第67回応用物理学会春季学術講演会
発表題目 GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの素子特性に バッファ層へのCまたはFeドーピングが及ぼす影響
発表者 近藤孝明
東中川洋幸
岩田直高
主催団体 応用物理学会
発表場所 (上智大学 四ツ谷キャンパス)
発表日 2020/03/13
講演内容 ポスター 13p-PA9-16