学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2019
種類 国外
学会名 12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020) 
発表題目 High-selectivity dry etching for p-GaN gate formation of normally-off operation high electron mobility transistor
発表者 Naotaka Iwata
Takaaki Kondo
主催団体
発表場所 (名古屋大学)
発表日 2020/03/11
講演内容 ポスター 11P4-05