学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2018
種類 国内
学会名 22nd Advanced Materials 2018
発表題目 A new laser induced local material engineering to convert from n-type to p-type nitride semiconductor to fabricate high power vertical AlGaN/GaN devices on Si substrate
発表者 Yoshinobu Aoyagi(立命館大学)
Noriko Kurose(立命館大学)
松本滉太(電子デバイス)
岩田直高
神谷格
主催団体
発表場所 東京
発表日 2018/09/19
講演内容 レーザーを用いた GaN のドーピング活性化法を用いた縦型素子作製について