学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2018
種類 国外
学会名 11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)
発表題目 Effects of p-GaN gate structures and their fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN HEMTs
発表者 Takaaki Kondou
Yoshihiko Akazawa
Naotaka Iwata
主催団体 応用物理学会
発表場所 Nagoya, Japan
発表日 2019/03/19
講演内容 Effects of p-GaN gate structures and their fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN HEMTs