学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2018
種類 国内
学会名 第66回応用物理学会春季学術講演会
発表題目 様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性
発表者 近藤孝明
赤澤良彦
岩田直高
主催団体 応用物理学会
発表場所 東京工業大学
発表日 2019/03/11
講演内容 様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性