学会発表

電子デバイス
教授 岩田直高

掲載年度 2018
種類 国内
学会名 第79回応用物理学会秋季学術講演会
発表題目 選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響
発表者 近藤孝明
赤澤良彦
岩田直高
主催団体 応用物理学会
発表場所 名古屋国際会議場
発表日 2018/09/18
講演内容 選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響