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教授　神谷格（Itaru Kamiya ／ カミヤ　イタル）

業績

年度 学会名 発表者 発表題目 発表日
2022 The 70th JSAP Spring Meeting 2023 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Photoluminescence Evolution of Submonolayer Nanostructures at the 2D-3D Transition 2023年03月16日
2022 2023年春季第70回応用物理学関係連合講演会 Hanif Mohammadi、 ロネル　クリスチャン　インタル　ロカ、 Hyunju Lee、 岩田直高、 大下祥雄、 神谷格　 Diethylzinc passivation of InAs surface quantum dots 2023年03月15日
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2022 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Control of the 3D SML Nanostructure Density by Topmost InAs Cycle Amount 2022年09月28日
2022 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 若原夏希、 ロネル　クリスチャン　インタル　ロカ、 神谷格　 InAs量子ドット/GaAs(001) 上GaAsキャッピングのAs fluxの影響 2022年09月21日
2022 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 平墳直、 ロネル　クリスチャン　インタル　ロカ、 神谷格　 サブモノレイヤー成長法によるInAs量子ドットの密度制御 2022年09月21日
2022 The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Control of the 3D Submonolayer (SML) Nanostructure Density by GaAs Spacer Thickness 2022年09月21日
2022 2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 Hanif Mohammadi、 ロネル　クリスチャン　インタル　ロカ、 Yuwei Zhang、 Hyunju Lee、 岩田直高、 大下祥雄、 神谷格　 PL enhancement of InAs surface quantum dots by ex situ DEZ/ZnO passivation capping 2022年09月20日
2021 春季第69回応用物理学関係連合講演会 奥泉陽斗、 ロネル　クリスチャン　インタル　ロカ、 神谷格　 サブモノレイヤー成長法におけるGaAs膜厚による量子構造制御 2022年03月23日
2021 69th JSAP Spring Meeting 2022 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Luminescence of 10-stack Submonolayer InAs Nanostructures at the 2D-3D Transition 2022年03月23日
2021 春季第69回応用物理学関係連合講演会 Hanif Mohammadi、 Ronel Christian Intal Roca、 Yuwei Zhang、 Hyunji Lee、 Yoshio Ohshita、 Naotaka Iwata、 Itaru Kamiya　 Photoluminescence enhancement of InAs surface quantum dots by Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> passivation 2022年03月22日
2021 82nd JSAP Autumn Meeting 2021 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Post-Growth Annealing of Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures 2021年09月23日
2021 第82回応用物理学会秋季学術講演会 若原夏希、 ロネル　クリスチャン　インタル　ロカ、 神谷格　 GaAs(001)上InAs量子ドットのGaAsキャップ成長初期過程 2021年09月12日
2021 第82回応用物理学会秋季学術講演会 Hanif Mohammadi、 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Long wavelength PL of InAs surface quantum dots enhanced by underlying reservoirs 2021年09月10日
2021 21st International Conference on MBE (ICMBE) 2021 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Effect of the Number of Stacks on the 2D to 3D Transition of Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures 2021年09月06日
2021 Compound Semiconductor Week 2021 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Control of the 2D to 3D Transition of Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures by As2 Flux 2021年05月12日
2020 JSAP Spring Meeting 2021 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Control of Density of 3D Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures by As2 Flux 2021年03月17日
2020 the 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021) Ryuji Kamiya、 Takahito Ichinose、 Yuwei Zhang、 Noriko Kurose（National Center of Neurology and Psychiatry*）、 Itaru Kamiya、 Yoshinobu Aoyagi（Ritsumeikan University*）、 Naotaka Iwata　 Controlled activation of Mg dopant by laser irradiation for p-GaN formation 2021年03月10日
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Correlation between Structure and Luminescence of InAs Submonolayer (SML) Nanostructures 2020年09月29日
2020 JSAP Autumn Meeting 2020 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 AFM Study of the 2D to 3D Transition in InAs Submonolayer Structures 2020年09月09日
2019 表面技術協会 第141回講演大会 松田直大（大阪府立大学*）、 岡本尚樹（大阪府立大学*）、 齊藤丈靖（大阪府立大学*）、 神谷格　 電析条件によるCu/ZnS の光学特性および電気化学特性の制御 2020年03月13日
2019 JSAP Spring Meeting 2020 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 A Study on Submonolayer InAs Quantum Well Islands for Upconversion Applications 2020年03月13日
2019 JSAP Spring Meeting 2020 モハンマディ　ハニフ（*）、 ロネル　クリスチャン　インテル　ロカ、 神谷格　 Novel InAs SK/SML/SK quantum dot structures and steps toward new broadband IR detectors 2020年03月12日
2019 JSAP Autumn Meeting 2019 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Size Optimmization of InAs Quantum Well Islands for Photon Upconversion Applications 2019年09月19日
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Pregrowth Treatment Induced below-bandgap states in GaAs 2019年09月05日
2019 Compound Semiconductor Week 2019 Ronel Christian Intal Roca、 Itaru Kamiya　 Below-bandgap photoluminescence from GaAs 2019年05月20日
2018 春季第66回応用物理学関係連合講演会 後藤直輝、 神谷格　 ZnO/Zn1-xMgxOナノ粒子の作製 2019年03月11日
2018 春季第66回応用物理学関係連合講演会 鈴木幹人、 神谷格　 変調中間層による歪制御積層InAs量子ドットの光学特性制御 2019年03月11日
2018 春季第66回応用物理学関係連合講演会 水野皓登、 ユウ　ウェイ　チャン、 神谷格　 InAsサブモノレイヤー構造における光アップコンバージョン過程 2019年03月11日
2018 22nd Advanced Materials 2018 Yoshinobu Aoyagi（立命館大学）、 Noriko Kurose（立命館大学）、 松本滉太（電子デバイス）、 岩田直高、 神谷格　 A new laser induced local material engineering to convert from n-type to p-type nitride semiconductor to fabricate high power vertical AlGaN/GaN devices on Si substrate 2018年09月19日
2018 第79回応用物理学会秋季学術講演会 水野皓登、 ユウ　ウェイ　チャン、 神谷格　 サブモノレイヤー InAs層を介した光アップコンバージョン 2018年09月18日
2018 第79回応用物理学会秋季学術講演会 鈴木幹人、 神谷格　 変調中間層による歪制御積層 InAs 量子ドット形状の変化 2018年09月18日
2017 第65回応用物理学会春季学術講演会 後藤直輝、 奥山竜太（*）、 山田郁彦、 神谷格　 コアシェル型酸化亜鉛ナノ粒子の作製と評価 2018年03月19日
2017 第65回応用物理学会春季学術講演会 水野皓登、 ユウエイ　チャン、 神谷格　 InAs/GaAs サブモノレイヤー結晶成長の機構と制御 2018年03月17日
2017 第78回応用物理学会秋季学術講演会 ユウエイ　チャン、 神谷格　 Photon upconversion in InAs QDs and QWIs modeled by 8-band k・p theory 2017年09月05日
2017 Compound Semiconductor Week 小林知弘、 Fumihiko Yamada、 高林紘、 下村憲一、 Yuwei Zhang、 水野皓登、 Itaru Kamiya　 Near-surface band alignment of InAs quantum dots on GaAs(001) studied by Kelvin probe force micrscopy (KFM) 2017年05月17日
2016 2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会 小林知弘、 高林紘、 下村憲一、 神谷格、 ユウエイ　チャン、 山田郁彦　 KFMを用いたInAs量子ドット表面近傍のバンド解析 2017年03月14日
2016 Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (PACSURF 2016) Itaru Kamiya、 Fumihiko Yamada、 Tomohiro Kobayashi（量子界面物性）、 Ko Takabayashi（量子界面物性）、 Kenichi Shimomura（量子界面物性）、 Yuwei Zhang　 Nanoscopic Analysis of Semiconductor Heterointerfaces by Kelvin Probe Force Microscopy (KFM) 2016年12月14日
2016 26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition (PVSEC-26) Hidetoshi Suzuki（宮崎大学）、 Takuo Sasaki（量子科学技術研究開発機構）、 Masamitu Takahasi（量子科学技術研究開発機構）、 Itaru Kamiya、 Yoshio Ohshita、 Nobuaki Kojima、 Atsuhiko Fukuyama（宮崎大学）、 Tetsuo Ikari（宮崎大学）、 Masafumi Yamaguchi　 The influence of substrate orientation on strain relaxation mechanisms of InGaAs layer grown on vicinal GaAs substrates measured by in situ X-ray diffraction 2016年10月26日
2016 32nd North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE 2016) Kenichi Shimomura（量子界面物性）、 Itaru Kamiya　 Simulation of RHEED Intensity Transients during MBE Growth of InAs Quantum Dots on GaAs(001) 2016年09月19日
2016 32nd North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE 2016) Tomohiro Kobayashi（量子界面物性）、 Ko Takabayashi（量子界面物性）、 Kenichi Shimomura（量子界面物性）、 Itaru Kamiya、 Yuwei Zhang、 Fumihiko Yamada　 Ring-like workfunction dip around In(Ga)As quantum dots 2016年09月19日
2016 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 小林知弘、 高林紘、 下村憲一、 神谷格、 ユウエイ　チャン、 山田郁彦　 SiドープによるInAs量子ドットの仕事関数変化 2016年09月15日
2016 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2016) Kenichi Shimomura（量子界面物性）、 Hidetoshi Suzuki（宮崎大学）、 Takuo Sasaki（量子科学技術研究開発機構）、 Masamitu Takahasi（量子科学技術研究開発機構）、 Itaru Kamiya、 Yoshio Ohshita　 Achieving long wavelength emission from self-assembled InAs quantum dots by MBE through strain control 2016年08月01日
2016 The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Noriko Kurose（立命館大学）、 Kota Ozeki（立命館大学）、 Tsutomu Araki（立命館大学）、 Itaru Kamiya、 Naotaka Iwata、 Yoshinobu Aoyagi（立命館大学）　 Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET 2016年06月30日
2016 The 9th International Conference on Quantum Dots (QD2016) Itaru Kamiya、 Kenichi Shimomura、 Hidetoshi Suzuki（宮崎大学）、 Takuo Sasaki（量子科学技術研究開発機構）、 Masamitu Takahasi（量子科学技術研究開発機構）、 Yoshio Ohshita　 In situ XRD observation of strain in InAs quantum dots and InGaAs capping layers during MBE growth on GaAs(001) 2016年05月23日
2015 31st North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE 2015) 下村憲一（量子界面物性）、 神谷格　 Strain Control of InAs Quantum Dots on GaAs(001) by Molecular Beam Epitaxy 2015年10月05日
2015 Compound Semiconductor Week (CSW 2015) 下村憲一（量子界面物性）、 神谷格　 Carrier dynamics of  > 1.55 m PL from InAs quantum dots on GaAs(001) 2015年07月01日
2015 42nd IEEE Photovoltaics Specialists Conference 森下一喜（量子界面物性）、 須藤裕之（量子界面物性）、 神谷格　 The reduction of Cu2+ and crystal growth processes during colloidal synthesis of Cu2ZnSnS4 nanoparticles 2015年06月16日
2014 2015年春季第62回応用物理学関係連合講演会 下村憲一（量子界面物性）、 神谷格　 GaAs(001)上のInAs量子ドットの1.55m以上での発光（２） 2015年03月12日
2014 2015年春季第62回応用物理学関係連合講演会 森下一喜（量子界面物性）、 須藤裕之（量子界面物性）、 神谷格　 Cu<SUB>2</SUB>ZnSnS<SUB>4</SUB>ナノ粒子の液相合成におけるCu<SUP>2+</SUP>還元過程 2015年03月11日
2014 42nd Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces K. Shimomura（量子界面物性）、 Itaru Kamiya　 Tuning the emission wavelength from self-assmbled InAs quantum dots on GaAs(001) to over 1.55 m by controlling the cap and barrier layers 2015年01月21日
2014 42nd Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces K. Shimomura（量子界面物性）、 H. Suzuki（Miyazaki Univ）、 T. Sasaki（JAEA）、 M. Takahasi（JAEA）、 Y. Ohshita（半導体）、 Itaru Kamiya　 XRD transients during capping of different sized InAs quantum dots on GaAs(001) 2015年01月20日
2014 2014 Fall Mat. Res. Soc. Symposium K. Shimomura（量子界面物性）、 H. Suzuki（Miyazaki Univ）、 T. Sasaki（JAEA）、 M. Takahasi（JAEA）、 Y. Ohshita、 Itaru Kamiya　 In situ XRD observation during modulated InGaAs capping of InAs quantum dots on GaAs(001) by MBE 2014年12月04日
2014 The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) D. M. Tex（Kyoto Univ）、 T. Ihara（Kyoto Univ）、 Itaru Kamiya、 Y. Kanemitsu（Kyoto Univ）　 Influence of trapping processes on photocurrent generation efficiencies in quantum-dot intermediate-band solar cells 2014年11月26日
2014 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会 下村憲一（量子界面物性）、 神谷格　 GaAs(001)上のInAs量子ドットの1.55m以上での発光 2014年09月18日
2014 日本物理学会2014年秋季大会 山田泰裕（京都大学）、 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 フェムト秒励起光電流分光によるInAs量子構造の光キャリアアップコンバージョン過程と電子・正孔寿命の決定 2014年09月09日
2014 40th IEEE Photovoltaics Specialists Conference David M. Tex（Kyoto Univ）、 Itaru Kamiya、 Yoshihiko Kanemitsu（Kyoto Univ）　 Identification of trap states for two-step two-photon-absorption processes in InAs quantum structures for intermediate-band solar cells 2014年06月13日
2014 8th International Conference on Quantum Dots K. Shimomura（量子界面物性）、 H. Suzuki（Miyazaki Univ）、 T. Sasaki（JAEA）、 M. Takahasi（JAEA）、 Y. Ohshita（半導体）、 Itaru Kamiya　 In situ XRD observation during various capping of InAs quantum dots by MBE 2014年05月14日
2013 2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 Two-beam photocurrent mapping to determine the limiting factor of the two-step two-photon-absorption processes in InAs quantum dots 2014年03月19日
2013 2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会 井原章之（京都大学）、 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 InAs/AlGaAs量子構造からなる中間バンド型太陽電池の顕微光電流イメージング 2014年03月19日
2013 2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会 山田泰裕（京都大学）、 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 InAs量子構造を利用した中間バンド型太陽電池におけるフェムト秒時間分解光伝導測定 2014年03月17日
2013 第61回応用物理学会春季学術講演会（2014春季） 下村憲一、 鈴木秀俊、 佐々木拓生、 高橋正光、 大下祥雄、 神谷格　 InAs量子ドット上の変調キャップ層成長中のXRDによるその場観察 2014年03月17日
2013 2013 Fall Materials Research Society Symposium 山田泰裕（京都大学）、 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 Femtosecond photocurrent dynamics in InAs quantum structures for intermediate-band solar cells 2013年12月02日
2013 2013 Fall Materials Research Society Symposium David M. Tex（京都大学）、 井原章之（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 Spectroscopic Imaging of Efficient Photocurrent Generation Sites in InAs Intermediate Band Quantum Structures: Improved Design of Upconversion Layers Containing Nanodisks and Quantum Dots 2013年12月02日
2013 30th North American Molecular Beam Epitaxy Conference 下村憲一（量子界面物性）、 鈴木秀俊（宮崎大学）、 佐々木拓生（日本原子力研究開発機構）、 高橋正光（日本原子力研究開発機構）、 大下祥雄（半導体研究室）、 神谷格　 In situ X-ray diffraction study on capping of InAs quantum dots on GaAs(001) 2013年10月09日
2013 日本物理学会2013年秋季大会 山田泰裕（京都大学）、 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 フェムト秒励起光伝導相関法によるInAs量子構造の光キャリアダイナミクス 2013年09月26日
2013 2013 Japan Society of Applied Physics – Materials Research Society Joint Symposia 小舘北斗（量子界面物性）、 須藤裕之（量子界面物性）、 神谷格　 Synthesis of CuInS2 nanocrystals and their luminescence 2013年09月18日
2013 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 下村憲一（量子界面物性）、 鈴木秀俊（宮崎大学）、 佐々木拓生（日本原子力研究開発機構）、 高橋正光（日本原子力研究開発機構）、 大下祥雄（半導体研）、 神谷格　 XRDによるInAs量子ドット上のキャップ層成長のその場観察 2013年09月17日
2013 2013 Japan Society of Applied Physics – Materials Research Society Joint Symposia 高林絋（量子界面物性）、 David M. Tex（京都大学）、 下村憲一（量子界面物性）、 山田郁彦（量子界面物性）、 神谷格　 Controlling shapes of InAs two-dimensional structures on AlGaAs 2013年09月17日
2013 2013 Japan Society of Applied Physics – Materials Research Society Joint Symposia David M. Tex（京都大学）、 井原章之（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 Temperature dependence of highly efficient photocurrent generation in shallow InAs quantum structures 2013年09月17日
2013 39th IEEE Photovoltaics Specialists Conference 神谷格、 Ｄａｖｉｄ　Ｍ．Ｔｅｘ、 下村憲一、 山田郁彦、 高林鉱、 金光義彦　 InAs Quantum Well Islands – a Novel Structure For Photon Up-conversion From the Near IR To the Visible 2013年06月20日
2013 European Materials Research Society 2013 Spring Meeting David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 Design concept for efficient intermediate band solar cells based on multicarrier Auger processes 2013年05月27日
2013 The 40th International Symposium on Compound Semiconductors 下村憲一（量子界面物性）、 神谷格　 The Thickness of InGaAs Capping Layer Dependence on the PL Emission Wavelength of InAs Quantum Dots 2013年05月20日
2012 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 Relative strength of upconversion through Auger, thermal and two-step two-photon absorption processes in InAs quantum structures 2013年03月28日
2012 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会 下村憲一（量子界面物性）、 神谷格　 InGaAsキャップ層の膜厚制御によInAs量子ドット発光波長の変化 2013年03月28日
2012 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会 下村憲一（量子界面物性）、 David M. Tex（京都大学）、 神谷格　 キャップ層による歪制御における量子ドットサイズの依存性 2012年09月12日
2012 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会 David M. Tex（京都大学）、 神谷格、 金光義彦（京都大学）　 Upconverted photocurrent for efficient intermediate state solar cells through Auger processes in InAs quantum structures 2012年09月11日
2011 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 David M. Tex（量子界面物性）、 神谷格　 Photon upconversion through spatial overlap of excitons in InAs quantum well islands 2012年03月17日
2011 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 山田郁彦、 神谷格　 EFMを用いた半導体表面上酸化物ナノ構造の厚み分布測定の検討 2012年03月16日
2011 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 下村憲一（量子界面物性）、 白坂健生（量子界面物性）、 David M. Tex（量子界面物性）、 神谷格　 GaAs上 InAs量子ドット形成におけるRHEED強度変化のAs流量依存性 2012年03月16日
2011 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy Fumihiko Yamada、 Itaru Kamiya　 Thickness measurement of oxide nanostructures buried in a semiconductor surface 2011年12月19日
2011 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) Takuo Sasaki、 Kenichi Shimomura、 Hidetoshi Suzuki、 Masamitu Takahasi、 Itaru Kamiya、 Yoshio Ohshita、 Masafumi Yamaguchi　 Kinetics of strain relaxation in lattice-mismatched III-V heteroepitaxy 2011年09月28日
2011 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 David M. Tex（量子界面物性）、 神谷格　 InAs量子構造による赤外から可視光へのアップコンバーションのInAs膜厚依存性 (Thickness dependence of InAs quantum structures for upconversion of infrared to the visible regime) 2011年09月01日
2011 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 山田郁彦、 神谷格　 GaAs表面上に生成した酸化物ナノ構造のEFMを用いた厚み分析手法の検討 2011年08月31日
2011 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 下村憲一（量子界面物性）、 白坂健生（量子界面物性）、 David M. Tex（量子界面物性）、 神谷格　 InAs量子ドット形成におけるRHEEDパターンの観察 2011年08月31日
2011 The 28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference Kenichi Shimomura、 Takeo Shirasaka、 David M. Tex、 Fumihiko Yamada、 Itaru Kamiya　 RHEED Transient During InAs Quantum Dot Growth by MBE 2011年08月16日
2011 The 28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference David M. Tex（量子界面物性）、 Itaru Kamiya　 Shallow Defect States in GaAs Responsible for GaAs Bandgap Upconversion Induced by Electron Diffraction Beam During MBE Growth 2011年08月15日
2010 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会 賀数広海、 神谷格　 Droplet epitaxyによるInナノ電極の形成とその導電性 2011年03月24日
2010 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会 下村憲一、 白坂健生、 David M. Tex、 神谷格　 InAs量子ドット形成におけるRHEED強度変化の観察 2011年03月24日
2010 2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 山田郁彦、 神谷格　 AFMを用いたGaAs表面上酸化物ナノ粒子の厚み分布解析 2011年03月24日
2010 日本セラミックス協会2011年年会 荒川修一、 松尾菜実子（量子界面物性）、 呂　威、 神谷格　 水溶液法によるPbSナノ粒子の合成 2011年03月17日
2010 38th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces Fumihiko Yamada、 Itaru Kamiya　 The thickness measurement of buried surface structures in GaAs surface 2011年01月20日
2010 38th Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces Takeo Shirasaka、 Kenichi Shimomura、 David M. Tex、 Itaru Kamiya　 Influence of As<SUB>4</SUB> flux on the formation mechanisms of InAs quantum dots on GaAs(001) during MBE growth 2011年01月19日
2010 38th Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces Kenichi Shimomura、 Takeo Shirasaka、 David M. Tex、 Itaru Kamiya　 Analysis of InAs quantum dot growth by RHEED 2011年01月19日
2010 Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology (AsiaNANO 2010) Wei Lu、 Itaru Kamiya　 Luminescence of self-assembled PbS quantum dots on GaAs and quartz substrates 2010年11月02日
2010 AsiaNANO2010 Fumihiko Yamada、 Itaru Kamiya　 The Size Measurement of Nanoparticles buried in GaAs Surface 2010年11月02日
2010 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM2010） Takuo Sasaki、 Hidetoshi Suzuki、 Masamitsu Takahashi、 Seiji Fujikawa、 Itaru Kamiya、 Yoshio Ohshita、 Masafumi Yamaguchi　 Kinetics of strain relaxation in lattice-mismatched In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As/GaAs heteroepitaxy 2010年09月23日
2010 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 白坂健生、 下村憲一、 神谷格　 GaAs(001)上InAs量子ドット核形成に対するMBE成長時のAs4流量の影響 2010年09月15日
2010 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 呂　威、 山田郁彦、 神谷格　 石英やGaAs基板上に作製したPbS量子ドット薄膜の蛍光計測 2010年09月14日
2010 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会 賀数広海、 山田郁彦、 David Tex、 田中　一郎、 神谷格　 キャップ層のドナー濃度によるIII-V半導体表面フェルミレベルピニングの制御 2010年09月14日
2010 2010年第71回 応用物理学会学術講演会 山田郁彦、 神谷格　 湿潤プロセスで生成したGaAs表面上酸化ガリウム粒子のキャパシタンス測定 2010年09月13日
2010 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010) Takuo Sasaki、 Hidetoshi Suzuki、 Akihisa Sai、 Masamitu Takahasi、 Seiji Fujikawa、 Itaru Kamiya、 Yoshio Ohshita、 Masafumi Yamaguchi　 Growth temperature dependence of strain relaxation during InGaAs/GaAs(001) heteroepitaxy 2010年08月26日
2010 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy David M. Tex、 Itaru Kamiya　 Influence of Reflection High-Energy Electron Diffraction Beam on Anti-Stokes Photoluminescence 2010年08月24日
2010 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Itaru Kamiya、 Takeo Shirasaka、 Kenichi Shimomura、 David M. Tex　 Influence of In and As fluxes on growth of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001) 2010年08月24日
2010 Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010) Akihisa Sai、 Takuo Sasaki、 Hidetoshi Suzuki、 Itaru Kamiya、 Yoshio Ohshita、 Masafumi Yamaguchi　 Indium composition effect on strain relaxation process in (001) InGaAs/Ga 2010年08月01日
2010 第7回次世代の太陽光発電システムシンポジウム 崔炳久、 佐々木拓生、 鈴木秀俊、 神谷格、 大下祥雄、 山口真史　 InGaAsN/GaAsにおける歪緩和過程のIn組成依存性 2010年07月08日
2010 6th International Conference on Quantum Dots (QD2010) Wei Lu、 Itaru Kamiya　 Self-assembled colloidal PbS quantum dots on GaAs substrates 2010年04月27日

プロフィール

学位 工学博士  
生年月日 年齢
所属研究室 量子界面物性
研究分野 ナノ構造体の作製と物性,量子構造の表面界面電子物性
URL http://www.toyota-ti.ac.jp/Lab/Zairyo/QIL-Website/Home-J.html
最終学歴 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程
職歴 豊田工業大学　教授　（2004年～現在）
三菱化学・三菱化学科学技術研究センター　（1999年～2004年）
東大先端研　（1995年～1998年）
Imperial College　（1992年～1995年）
Bell Communications Research　（1990年～1992年）
理化学研究所　（1989年～1990年）
主な研究論文 ・I. Kamiya, D. E. Aspnes, H. Tanaka, L. T. Florez, J. P. Harbison, and R. Bhat, “Surface Science at Atmospheric Pressure - Reconstruction on (001) GaAs in Organometallic Chemical Vapor Deposition”，Phys. Rev. Lett. Vol. 68, No. ５, pp. 627-630（1992.02.03）
・I. Kamiya, D. E. Aspnes, L. T. Florez, and J. P. Harbison, “Reflectance Difference Spectroscopy of (001) GaAs Surfaces in Ultrahigh Vacuum”，Phys. Rev. B Vol. 46, No. 24, pp. 15894-15904（1992.06.19）
・Wei Lü, Itaru Kamiya, Masao Ichida, and Hiroaki Ando, “Temperature dependence of electronic energy transfer in PbS quantum dot films”，Appl. Phys. Lett. Vol. 95, No. ８, pp. 083102（2009.08.24）
・David M. Tex and Itaru Kamiya, “Upconversion of infrared photons to visible luminescence using InAs based quantum structures”，Phys. Rev. B Vol. 83, No. ８, pp. 081309（2011.2.17）
・Kenichi Shimomura and Itaru Kamiya, “Strain engineering of quantum dots for long wavelength emission: Photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) at wavelengths over 1.55 mm”，Appl. Phys. Lett. Vol. 106, No. ８, pp. 082103（2015.2.23）
学会活動 ・Czech Republic Academy of Science Summer School International Advisory Committee (1994-)
・Japan-America Frontiers of Engineering Symposium, Organizing Committee (2001-2)
・JSAP International 編集委員（1999-2001)
・化学工学会　ナノバイオテクノロジー委員会委員（2004.4-2005.3）
・AsiaNANO 2010 Program Committee (2010)
社会活動（研究に関する学会活動以外） ・経団連（日本経団連)ナノテクノロジー部会委員 (2001.10-2004.9)
・ナノネット運営委員会委員（2010-2012）
・文部科学省科学技術政策研究所　専門調査員（2005-）
・名古屋市天白区地域スポーツ推進委員会ミニバスケットボール指導員（2015-） 
学内運営（委員会活動等） 入学者選抜制度委員会委員（2015-）
グリーン素子・材料研究センター協議会議長（2014-）
博士課程委員会委員（2004-2018, 2019-）
国際化推進委員長（2017-）
スマートエネルギー技術研究センター運営協議会拡大委員（2013-）
ナノテク支援プラットフォーム運営協議会委員（2012-）
TTIC委員会拡大委員（2012-）
学外実習委員会拡大委員（2008-） 
担当授業科目 学部：統計力学、半導体量子構造物性、物質工学実験１、英語特別演習 
修士：固体物理学 
教育実践上の主な業績 １　教育内容・方法の工夫（授業評価等を含む）

1. 基礎原理の理解（2017～2021年度）
2017～2019年度「統計力学」（3年前期、2単位）、2017～2018年度「半導体量子構造物性」（4年前期、2単位）、2017～2019年度「固体物理学」（院後期、2単位）において、授業においては極力直感的に概念を理解させる事に務め、講義ノートで教科書で略してある導出を示し、基礎原理の理解を促す事に努めた。　各科目で、学期中に4～6回、演習問題を宿題に課し、添削やフィードバックを行った。
「英語読解演習（2018年度は英語特別演習４）」（2018～2019年度）は演習形式として、毎回課題文献を和訳させ、その解説を行った。文献は、科学・工学・政治・評論・歴史等幅広い話題から選び、常識力の補強も兼ねた。

2. 該当科目の全体像の紹介（2017～2021年度）
「半導体量子構造物性」（4年前期、2単位）においては受講者が少なくまた必ずしもこの分野のことを十分に把握していない状況に鑑み、最初の２回程度は全体像を紹介するための講義を行った。

3. 演習問題、試験問題解答例のWebでの公開（2017～2021年度）
「統計力学」（3年前期、2単位）、「半導体量子構造物性」（4年前期、2単位）、2017～2019年度「固体物理学」（院後期、2単位）の３科目について、定期試験問題と解答例をWebで公開した。　また、「統計力学」においては、演習問題もWebで公開している。

4. 英語のテキストの利用（2017～2021年度）
「半導体量子構造物性」（4年前期、2単位）においては英語で出版された教科書を用い、専門書の読み方を同時に学ばせ、また講義ノートも英語で作成している。　「固体物理学」（院後期、2単位）においては2017年度は受講生の半数以上が留学生であったため、講義にも英語を併用した。

5. 学生にじっくり考えさせる（2017～2021年度）
2016～2018年度年度「物質工学実験１」（3年前期、1単位）、2016年度年度「物質工学実験２」（3年後期、1単位）の実験科目については、とにかく学生に自分達で考えさせる事を目指し指導した。昨今、手取り足取り教えるのが良い教育と勘違いする風潮がはびこっているが、それが学生達の力を下げていると考えており、基本的には自分達で考えさせ、その不足分については、試問において、気づかせる様に指導した。 特に、単に答が正しいか否かではなく、そこに至る思考プロセスの重要さを重視した指導を行った。
「英語読解演習」は文字通り演習とし、限られた時間で集中して考えながら文章を読むことに重きをおいた。

6. 学生実験における個人面談の実施（2017～2019年度）
2017～2019年度「物質工学実験２」（3年後期、1単位）の実験科目については、実験終了時に結果のまとめに関する面談を行い、更に、約１週間後、レポートの仮提出時に個人面談を行い、考え直すべき点等の指摘を行った上で、最終提出をさせる様にしている。　この個人面談時までに深い考察をしてくる事で、内容の理解を促している。

7. 端的な表現力の向上（2017～2019年度）
「量子界面物性セミナー１・２」（院前・後期、各１単位）においては毎回学生に10分程度での発表をさせ、端的な表現での発表・発言の訓練をした。
「英語読解演習」においては端的な日本語での表現を教授した。

２　作成した教科書、教材、参考書

「統計力学」「固体物理学」「半導体量子構造物性」講義ノートを作成。いずれも、pdf版を学生がweb よりdownloadできる様にした。（2017～2021年度）
「物質工学実験」においてテキストを作成。（2017～2021年度）

３　教育方法・教育実践に関する発表、講演等

なし。

４　その他教育活動上特記すべき事項

1. オープンキャンパスによる体験授業の実施（2017～2021年度）
量子力学・統計力学という高校では習わない物理学の概説、若しくは英文テキスト読解による基礎物理の講義を行った。

2. 出張講義（2017～2021年度）
豊田西高校において英語によるプレゼンテーションの指導、及び原稿の添削指導を行った。

3. 非常勤講師
東京工業大学大学院において「Modern Japan（英語科目）」を分担講義した。（2017～2021年度）
南山大学において、「人間と環境」を分担講義した。（2017～2021年度）
愛知大学において、「総合科目」を分担講義した。（2017～2021年度） 
その他

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