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半導体
講師 小島信晃

掲載年度

2020

個別研究テーマ
(日本語)

超高効率・低コスト化合物太陽電池・材料の研究

個別研究テーマ
(英語)

Ultra-high efficiency and low-cost compound solar cells and materials

研究者 小島信晃
大下祥雄
山口真史
研究概要

 III-V族化合物半導体は、多様な材料で任意のバンド・プロファイルを持つ多接合構造太陽電池を構成することで、40%以上の超高効率光電変換が可能である。低コスト化を実現するため、Si基板上III-V層エピタキシャル成長、およびIII-V層のリフトオフに関する研究を行い、層状半導体を中間層に用いたIII-V層の成長とリフトオフを達成している。さらに、変換効率50%以上が期待できる4接合用新材料として、InGaAsN材料の高品質成膜と物性・欠陥評価に関する研究を行っている。

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