2022

GaAsにおける長波長発光欠陥の生成機構解明と制御

Identification of the genration mechanisms of long wavelegnth-emitting defects in GaAs and their control

エピタキシャル成長に用いられる GaAs 基板は、種々の近赤外発光源となる欠陥を含む。　我々の検討では、基板自身に含まれるものの他、その初期処理により種々の欠陥が生成されることなどが分かってきた。　これらの起源や制御法を解明し、赤外線発光素子やアップコンバージョン素子への応用を目指す。