SML成長法を用いたInGaAs系長波長蛍光...| 神谷格 | 個別研究テーマ | 2022

量子界面物性研究室
教授　神谷格

掲載年度	2022
個別研究テーマ (日本語)	SML成長法を用いたInGaAs系長波長蛍光体の開拓
個別研究テーマ (英語)	Development of InGaAs-based long wavelength-emitter by SML growth
研究者	神谷格
研究概要	MBE による SML 成長法を用い InGaAs 系量子構造を作製し、その長波長（1.0～2.0 micron）発光の実現を目指すと共に、その波長制御・機構を行っている。