個別研究テーマ編集

量子界面物性
教授 神谷格

掲載年度

2021

個別研究テーマ
(日本語)

酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体量子構造のパッシベーションと被覆

個別研究テーマ
(英語)

Passivation-capping of III-V semiconductor quantum structures by oxides

研究者 神谷格
Hanif Mohammadi
ロネル クリスチャン インタル ロカ
岩田直高
研究概要

気相・液相法を用い、酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の量子井戸・量子ドットの表面パッシベーション及び被覆を実現させる。 電子的に安定な表面を得ると共に、歪や相互拡散を抑制し、量子構造本来の物性を出現させることを目指す。
Passivation-capping of III-V of III-V semiconductor quantum wells and dots by oxides using vapor and/or liquid phase techniques. The goal is to realize electronically stable surface which is free from strain to obtain surface quantum structures in their ideal forms.

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