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持続可能な省エネルギー社会の構築に寄与する超低消費電力半導体デバイスとシステムの実現に向けて、化合物半導体ナノ構造やヘテロ構造の研究を基に、それらのデバイスへの適用、さらに回路やシステム化技術との融合を検討している。具体的には、GaN系のヘテロ構造やスーパー接合を用いたパワーデバイスの研究開発を電力制御システム向けに進めている。最近は、エネルギーハーベスティング(環境発電)やワイヤレス電力伝送向けに、低い電圧から高い電圧まで高い効率で整流する高機能デバイスが求められている。これに向けて、p型GaNゲートHEMTの成果を適用して極めて低いオン電圧を示すとともに、スーパー接合の研究から得られつつある高い耐圧特性を兼ね備え、さらに正孔注入による高い電流密度も実現する新しい素子構造のヘテロ接合ダイオードの研究を進めている。今後は、これらの成果の適用により低電圧から高電圧までを高効率で整流するブリッジ回路ICの開発を進める。
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