| 研究室概略 |
省エネルギー社会に向けた高効率で動作する低コスト高機能半導体デバイスの研究 |
| 研究室紹介 |
化合物半導体を用いた高効率動作する新構造パワートランジスタの研究開発
現代社会は、半導体デバイスで構成された電子機器無しでは、一瞬たりとも立ち行かない状況です。さらに、持続可能な省エネルギー社会の実現に向けて、低コストで高効率動作する電力制御用のパワートランジスタの実現が強く求められています。
電子デバイス研究室は、これに向けた研究を進めます。パワートランジスタの高効率化には、低オン抵抗と高耐圧特性の両立が求められ、現状のSiパワートランジスタの諸特性を凌駕する化合物半導体ヘテロ接合を利用した新構造パワートランジスタの研究を進めています。特に、青色発光ダイオードの半導体材料である窒化ガリウム(GaN)は、AlGaNと良好なヘテロ接合が形成できるワイドバンドギャップ半導体であり、そのヘテロ界面の優れた伝導特性と物性から期待される高耐圧特性により、マイクロ波・ミリ波帯の通信用からモーターなどの電力制御用まで、様々な用途の高効率動作トランジスタの実現が期待できます。我々は、この実用化が喫緊の課題と捉えて、低コストで高効率動作する新構造パワーデバイスの研究と、それを実現する作製プロセスなど関連する要素技術の開発を進めています。そして、デバイス特性を精密に測定解析してモデル化する技術、シミュレーションによるデバイスの設計と応用に関する技術の研究を進めています。 |
| 主な研究テーマ |
・化合物半導体ヘテロ接合パワーデバイスの研究
・超低消費電力半導体デバイスとシステムの研究 |
| 研究室HP |
https://www.toyota-ti.ac.jp/research/laboratory/post-17.html |
| 個別研究テーマ |
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