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教授 岩田直高(Naotaka Iwata / イワタ ナオタカ)

業績

プロフィール

学位 博士(工学)  
生年月日 年齢
所属研究室 電子デバイス
研究分野 化合物半導体ヘテロ構造およびナノ構造を用いたデバイス開発とシステム応用
URL
最終学歴 筑波大学大学院理工学研究科修了
職歴 立命館大学 客員協力研究員 (2015年05月01日~2016年03月31日)
豊田工業大学 教授 (2013年04月01日~現在)
電気通信大学 客員(特任)教授 (2005年04月01日~2011年03月31日)
Stanford大学 J.S.Harris教授研究室 客員研究員 (1993年01月01日~1993年12月31日)
NEC、NECエレクトロニクス、ルネサス エレクトロニクス株式会社に所属 (1983年04月01日~2013年03月31日)
主な研究論文 ・N. Iwata, Y. Matsumoto, T. Baba, and M. Ogawa,“DX center-like trap in selectively Si-doped AlAs/GaAs superlattice,”Jpn. J. Appl. Phys. Vol.25, No.5, pp.L349-L352(1986.04.26)
・N. Iwata, K. Yamaguchi, T. B. Nishimura, K. Takemura, M. Kuzuhara, and Y. Miyasaka, “Li-ion battery operated power amplifier MMICs utilizing SrTiO3 capacitors and heterojunction FETs for PDC and CDMA cellular phones,”Solid-State Electron. Vol.43, No.4, pp.747-753(1999.04)
・N. Kurose, N. Iwata, I. Kamiya, and Y. Aoyagi,“Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on n+Si substrate by filing the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor,”AIP Advances Vol.4, pp.123007-1-123007-7(2014.12.23)
・N. Kurose, K. Matsumoto, F. Yamada, T. M. Roffi, I. Kamiya, N. Iwata, and Y. Aoyagi, “Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution forhigh power vertical devices,”AIP Advances Vol.8, pp.15329-1-15329-5(2018.1.31)
・T. Kondo, Y. Akazawa, and N. Iwata, "Effects of p-GaN gate structures and fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors," Jpn. J. Appl. Phys.Vol.59, SAAD02-1-4(2019.11.21)
学会活動 ・The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) Senior Member
・電子情報通信学会 シニア会員
・応用物理学会 会員
・International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma) 2019および2020 プログラム委員(2018~)
社会活動(研究に関する学会活動以外) GaN研究コンソーシアム 幹事(2015~2019)
GaN研究コンソーシアム 知的財産委員会 委員(2016~2019)
GaN研究コンソーシアム 新法人設立準備TF メンバー(2016~2019)
平成29年度戦略的基盤技術高度化支援事業(サポイン事業) アドバイザー(2017~2018)
GaNコンソーシアム 運営幹事会 委員(2019~)
GaNコンソーシアム 知的財産委員会 委員(2019~)
GaNコンソーシアム 電子デバイスWG メンバー(2019~) 
学内運営(委員会活動等) スマートエネルギー技術研究センター運営協議会 委員(2013~)
難環境作業スマート機械技術研究センター協議会 拡大委員(2013~2017)
学外実習委員会 委員(2014~2018)
教務委員会 委員(2014~2015)
ナノテクプラットフォーム運営部会 委員(2014~)
グリーン電子素子・材料研究センター協議会 委員(2014~2018)
ナノテクノロジーセンター協議会 議長(2015~)
ナノテクノロジーセンター副センター長(2015~)
共同利用クリーンルーム運営部会 議長(2016~2019)
共同利用クリーンルーム施設長(2016~)
教務委員会 拡大委員(2016)
総合安全委員会 委員(2017~)
ものづくりの科学教育センター協議会 委員(2018~)
学外実習委員会 拡大委員(2019~) 
担当授業科目 学部:電子回路工学、電気回路工学2、工学実験、教養基礎セミナー3 
修士:化合物半導体デバイス工学、電子デバイスセミナー1,2 
作成した教科書(教材・参考書等)  
その他 ・市村産業賞 功績賞(他2名)、「携帯電話端末用ヘテロ接合FETの開発と実用化」 (2002年4月26日)
・文部科学大臣表彰 研究功績者(個人)、「携帯電話端末用ヘテロ接合FETの研究」 (2003年4月17日)
・電気通信大学 同窓会賞(個人)、「移動体端末用高出力ヘテロ接合FETの開発」 (2004年4月7日)

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